PECVD 等離子體增強化學氣相沉積系統PD-220系列

簡要描述：等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)是通過將活性氣體變成等離子體狀態，在目標基材上產生活性自由基和離子，使目標基材發生化學反應而形成薄膜的技術。在化合物半導體和硅半導體的制造過程中，用于沉積作為鈍化膜的氮化硅薄膜（SiN）和作為層間絕緣膜的氧化硅薄膜（SiO?）。

更新時間：2026/4/8 20:33:26
訪問量：118
產品型號：PD-220系列

產品咨詢聯系我們

詳細介紹

等離子體增強型CVD設備 PD-2201LC 節省空間的生產系統

概要

PD-2201LC 是一種盒式裝載等離子體增強化學氣相沉積 (PECVD) 設備，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。
該系統在節省空間的前提下提供了PECVD的所有標準功能。可在直徑220毫米的區域內沉積具有優異厚度均勻性和應力控制的薄膜，并具有優異的穩定性和可重復性。用戶友好的觸摸屏界面，用于參數控制和配方存儲。該系統是大規模生產用薄膜沉積的理想選擇，具有優異的重復性。

主要特點和優點

• 最大加工范圍：ø220 mm (ø3" x 5, ø4" x 3, ø8" x 1)

• 優異的均勻性和應力控制

• 卓越的工藝穩定性和可重復性

• 堅固的系統，最低的運行/維護成本

• 用戶友好的觸摸屏界面，用于參數控制和配方存儲

• PD-2201LC設計時尚、節省空間，只需最小的潔凈室空間

• 雙頻(13.56 MHz + 400 kHz)PECVD，用于卓越的過程控制

應用

• SiH4-SiNx

• SiH4-SiO2

• 液體前驅體(SN-2)SiNx。

• TEOS-SiO2

等離子體增強型CVD設備 PD-220NL 緊湊的研發用負載鎖定系統

概要

PD-220NL 是一種負載鎖定等離子體增強化學氣相沉積 (PECVD) 系統，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。
該系統以非常緊湊的占地面積提供了PECVD的所有標準功能。可在直徑220毫米的區域內沉積具有優異厚度均勻性和應力控制的薄膜，并具有優異的穩定性和可重復性。用戶友好的觸摸屏界面，用于參數控制和配方存儲。該系統是研發用薄膜沉積以及試生產的理想選擇。